불량 분석을 위한 내부 구조 및 결함 관찰이 가능한 시편을 확보

• 분석 영역을 노출 시켜 결함의 원인 및 발생 메커니즘 규명
• 분석 목적에 적합한 시편 제작을 통해 정확한 분석 결과 확보

Detach : 제품을 분리 및 반도체 소자를 적출하는 분석

Decapsulation : 반도체 패키지 내부의 Die, Wire, Bonding 영역 등을 노출시키기 위해 패키지 외부 몰딩 Epoxy을 화학적 또는 물리적으로 제거하는 분석

De-Layer: 반도체 Die 내부의 Metal 층 ,Oxide 층 등을 순차적으로 제거하면서 각 층의 구조와 결함을 분석

Cross Section: 반도체 IC, PKG, Module 등의 내부 구조를 수직,수평 방향으로 절단하여 내부 문제를 직접 관찰 하는 분석

제품 외관 및 표면 상태를 확인하여 제조 공정 중 발생 가능한 결함을 조기에 검출 및 Scratch, Crack, Contamination 등 표면 결함의 유무 및 분포 확인

• 결함 발생 위치 및 형상을 분석하여 공정 이상 여부 판단.
• 양산 품질 확보 및 불량 재발 방지를 위한 기초 데이터 확보.

외관검사 : 제품의 전체적인 외형 상태를 육안 또는 광학 현미경으로 관찰

표면 결함 검사 : 표면의 미세 결함을 정밀 관찰

오염분석 : 표면에 존재하는 이물질 확인

산화및 변색 :금속 표면의 색 변화, 산화층 형성 여부 확인

제품 내부 구조를 분석하여 외관상 확인이 불가능한 내부 결함을 검출

• Die, Wire, Solder, Bonding Layer 등 주요 내부 구조확인
• Void, Crack, Delamination 등 내부 결함의 발생 유무 및 분포 확인

X-Ray : X선을 이용하여 시료 내부 구조나 이물, 결함, 조립 불량 등을 실시간으로 투과 관찰할 수 있는 분석

S.A.T: 초음파를 이용해 PKG 내부의 Void, Crack, Delaminatio등 결함을 비파괴로 진단하는 분석

단면 가공 진행 후 미세 구조및 내부 결함을 정밀 관찰.

• 미세구모 결함 발생 유무및 형상 확인
• 공정 조건및 특성에 다른 구조적 이상 여부

Ga FIB : Ga Ion 빔을 이용하여 시료의 미세 영역을 정밀 가공하고,단면을 노출해 내부 구조와 결함을 정밀하게 관찰하는 분석

Xe FIB : Xenon 빔을 정밀하게 조사하여 시료의 단면을 가공하거나 미세 결함 부위를 절단·분석

SEM :전자빔을 시료 표면에 조사하여 수 나노미터(nm) 수준의 고해상도 이미지를 제공하는 분석

불량 원인 검증을 위해 회로 일부를 선택적으로 수정.

• Open, Short 등 회로 결함 가설에 대한 검증
• 설계오류, 공정결함, Metal 배선 불량 여부 판단

Metal Cutting : 기존 배선을 끊어 회로를 분리

Deposition : 끊어진 회로나 새로운 경로를 금속으로 연결

시편의 재료 조성및 성분 분포 확인

• 이물, 공정 잔류물 존재 여부 검출

EDS : SEM과 연계하여 시료 표면의 원소 조성(정성·정량)을 분석

FT-IR:적외선 흡수 스펙트럼을 이용해 유기물 및 화학 결합 구조를 분석

제품의 전기적 동작 특성및 성능 적합성 평가

Curve tracer: 반도체 소자의 I-V 특성을 빠르게 측정하여 기본 전기적 동작 여부를 확인

Paramter Analyzer: 전압·전류를 정밀 제어하여 소자의 정밀 전기적 특성 및 신뢰성 특성을 분석

I-PHEMOS: 소자에 전압·전류 인가 시 발생하는 광 방출(Photon Emission)을 검출하여 전기적 결함 위치를 찾는 분석

THEMOS(PHEMOX-X): 미세 발열 (Thermal Emission)분포를 정밀 측정하여 누설·단락 등 결함을 분석

세라믹 기판 제거를 통한 구조 분석

• 세라믹 기판 하부에 발생된 Crack, Delamination, Void 등
• 추가 내부 구조 분석을 위한 정확한 시편확보