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시험분석 사업부

TEST ANALYSIS DIVISION

HBM MM

ESD는 반도체 제품의 주요불량 원인 중 하나로, 전위가 다른 두 물체가 접촉하면서 순간적으로 전하가 이동하는 현상입니다. 인체는 여러 가지 방식으로 전하를 얻거나 잃게 되는데, 흔히 알고 있는 마찰전기를 통해서 Positive 또는 Negative 상태가 됩니다. 반도체장치가 실제 ESD 현상을 겪게 되는 여러 상황이 modeling 되었고 , 각 시험 수준에 따라 제품의 ESD 내성(sensitivity)을 몇가지 등급으로 분류합니다.

Human Body Model(HBM)

전하를 잃거나 얻은 상태의 두 물체가 “반도체”와 “인체”라고 가정한 시험입니다. 인체특성을 모사한 회로를 구성하고 반도체에 ESD pulse를 인가합니다. HBM분류 수준은 250 V ~ 8000 V 입니다.

Machine Model(MM)

반도체 제조 공정 중에, 장비나 기타 금속에 마찰하면서 전하를 충전 했다가 다시 타 물체와 접촉하면서 이루어지는 ESD 현상을 모사한 것입니다. MM분류 수준은 50 V ~ 400 V 입니다.

Reference Documents

Stress Ref. Abbv. Conditions
Human Body Model ESD JS-001 ESD-HBM TA = 25 °C
Charged Device Model ESD JESD22-C101 ESD-CDM TA = 25 °C
Machine Model JESD22-A115B ESD-MM TA = 25 °C

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